Un desarrollo de la Universidad de Ariel basado en semiconductores de Nitruro de Galio (GaN) podría permitir dispositivos más delgados, eficientes y sin los tradicionales cargadores externos, abriendo una nueva etapa en la electrónica de consumo
resumido de https://latamisrael.com/ del 10 de Mayo de 2026
La electrónica de consumo podría estar cerca de uno de sus cambios más profundos de las últimas décadas: la desaparición de los cargadores externos tradicionales. Investigadores de la Universidad de Ariel https://www.ariel.ac.il/wp/en/ desarrollaron un avance basado en Nitruro de Galio (GaN) https://www.formulacionquimica.com/GaN/ que permitiría integrar los sistemas de conversión de energía directamente dentro de los dispositivos electrónicos, eliminando la necesidad de los actuales “ladrillos” de carga. El trabajo científico, publicado bajo el título “Switching Frequency Figure of Merit for GaN FETs in Converter-on-Chip Power Conversion” https://cris.ariel.ac.il/en/publications/switching-frequency-figure-of-merit-for-gan-fets-in-converter-on-/fingerprints/ , se enfoca en resolver uno de los grandes límites de la electrónica moderna: la eficiencia energética y el tamaño de los sistemas de alimentación. Los cargadores actuales dependen de transistores de silicio, una tecnología que presenta fuertes restricciones cuando se intenta operar a altas velocidades. A mayores frecuencias, el silicio genera grandes pérdidas de energía en forma de calor, obligando a utilizar componentes voluminosos y sistemas de disipación térmica.
El Nitruro de Galio aparece como una alternativa estratégica. Este semiconductor de “banda prohibida ancha” permite trabajar a velocidades mucho más elevadas —incluso cercanas al gigahercio— con una generación de calor significativamente menor. Esto habilita la miniaturización extrema de los componentes de potencia y abre la posibilidad de crear sistemas “Converter-on-Chip” (CoC), donde la gestión energética se integre directamente en el mismo chip del dispositivo. El aporte diferencial de la investigación israelí no fue únicamente utilizar GaN, sino desarrollar un modelo matemático avanzado capaz de predecir y controlar las interferencias internas que aparecen cuando los dispositivos operan a frecuencias extremadamente altas. Utilizando simulaciones avanzadas y técnicas de “Soft-Switching”, los científicos lograron demostrar que es posible reducir drásticamente las pérdidas energéticas y alcanzar niveles de eficiencia inéditos para la electrónica de consumo.
Las implicancias industriales son significativas. La integración total de la conversión energética permitiría fabricar notebooks, smartphones y dispositivos electrónicos mucho más delgados, eficientes y resistentes. Además, podría reducir de manera sustancial la generación de residuos electrónicos asociados a cargadores y cables, uno de los problemas crecientes de la industria tecnológica global.
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